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新一代存储介质制造从四万年前说起

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-05-17

  院长一直从事电子信息工程与微电子技术的研究工作,在显示技术领域如a-Si/poly-Si TFT LCD工艺、器件及外围控制驱动电路和工业化技术等方面有较大成就。先后主持国家自然科学基金、国家863计划项目、国防研究基金、国家攻关、国防电子预先研究重点项目等共30余项科学研究与开发项目。在国内外重要学术期刊和学术会议上发表论文近300篇,申请并获批中国专利60余项,获得部级科研成果奖2项。

  宋志棠是上海微系统所纳电子材料与器件学科带头人,国内PCRAM材料与器件研究的开创者,国家集成电路重大专项PCRAM项目和973项目首席科学家与项目负责人。主要研究方向为相变存储材料与器件、纳米抛光液等,主张与产业结合开展相变存储器(PCRAM)研发,并与中芯国际和Microchip联合建立了12英寸PCRAM专用技术平台,

  开发出了我国第一款PCRAM芯片,在中国首次将PCRAM芯片推向量产。本次大会宋主任将为你带来相变存储介质的发展与最新研究发现。

  教授自1997年以来在集成电路先导工艺技术、半导体器件和半导体材料等方面开展系统研究,并取得如先进铜互连技术、新型阻变存储器和半浮栅器件等创新性成果。今年集芯片成为当下科技领域最热词语没有之一,被认为是国际竞争中的决胜领域。张教授曾指出

  。其主要研究的半浮栅晶体管是一种新型微电子基础器件,结合了隧穿场效应晶体管(TEET)和浮栅晶体管构建,致力于解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题。

  博士带领中电海康磁旋存储事业部正式注册成立为“浙江海康驰拓科技有限公司”,成为中电海康集团有限公司旗下独立子公司。去年11月,由海康驰拓主导,总投入达13.5亿元的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目(新型存储芯片—STT-MRAM)正式落户青山湖科技城。

  海康驰拓专注新型高速非易失存储技术MRAM的研发,在刘博士的演讲中,就当前的DRAM技术VS创新型MRAM技术,将会碰撞出怎样的火花呢?

  主要研究领域为相变存储器、忆阻器、磁存储器、光存储等信息存储材料与器件。当前,我国每年进口额高达2600亿美元,其中四分之一为存储器,95%的存储器芯片依靠进口,因此实现自主研发的新一代存储芯片势在必行。而缪教授带领团队专注基于相变存储器的3D XPOINT技术。相变存储器号称最有希望取代闪存的候选技术之一,利用硫系化合物晶体和非晶之间的快速切换进行信息擦写,在晶体管摩尔定律即将结束时,形变存储技术有望延续甚至突破摩尔定律,实现支持服务于新一代3D XPoint技术。

  董事长兼CEO 彭泽忠, 演讲主题为《氧化层反熔丝存储器(XPM-Super Permanent Memory)技术及应用》。氧化层反熔丝存储器是通过将数据存取单元构建在超薄绝缘体介质(例如栅氧化层)的周围。然后在超薄绝缘介质上施加应力而使其击穿(软击穿或硬击穿),调整存储单元的漏电流水平,从而实现存储信息。彭总是XLPMTM技术和X-RFID技术的发明人,2001年创建四川凯路威电子有限公司,专注于新型RFID芯片的设计与开发,目前已研发出高频(HF)、超高频(UHF)两大系列多款芯片产品,并实现商用量产。

  EEPROM(带电可擦可编程只读存储器),可在电脑或专用设备上擦除已有数据,再重新编程写入数据。相比EPROM,EEPROM无需紫外线照射,用特定的电压,就可以擦除数据,并写入新的数据,相比闪存产品在擦写次数上有更大优势,再加上更小的尺寸和较低的擦写电流,在智能手机市场炙手可热。而

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